CSD17556Q5B前往购买
CSD17556Q5B产品规格_产品特点_现货出售
IC先生 网络 83 2023-11-24 12:59:12
此 30V、1.2mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小同步整流和其他功率转换应用中的 损耗。
CSD17556Q5B的特性
- 极低电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
CSD17556Q5B功能图
CSD17556Q5B规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 30 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 1.8 |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 1.4 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 400 |
| QG(型)(nC) | 28.5 |
| QGD(型)(nC) | 6.9 |
| QGS(类型)(nC) | 10.7 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1.4 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 215 |
| ID -套餐有限公司(A) | 100 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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