CSD18502Q5B前往购买
CSD18502Q5B产品参数_产品特点_原厂出售
IC先生 网络 99 2023-11-24 12:26:26
此 40V、1.8mΩ、5mm × 6mmNexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
CSD18502Q5B的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
CSD18502Q5B功能图
CSD18502Q5B规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 40 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 3.3 |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 2.3 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 400 |
| QG(型)(nC) | 52 |
| QGD(型)(nC) | 8.4 |
| QGS(类型)(nC) | 10.3 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1.8 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 204 |
| ID -套餐有限公司(A) | 100 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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