CSD17552Q5A前往购买
CSD17552Q5A规格参数_功能图_原装原厂
IC先生 网络 101 2023-11-24 08:50:44
NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。
RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2)，2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
CSD17552Q5A的特性
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装
CSD17552Q5A功能图
CSD17552Q5A规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 30 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 7.5 |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 6.2 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 106 |
| QG(型)(nC) | 9 |
| QGD(型)(nC) | 2 |
| QGS(类型)(nC) | 3.6 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1.5 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 88 |
| ID -套餐有限公司(A) | 60 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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