CSD16342Q5A前往购买
CSD16342Q5A产品规格_功能特性_原装供应
IC先生 网络 94 2023-11-24 11:36:23
此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。
在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA = 40°C/W （典型值）。脉宽 ≤300μs，占空比 ≤2%
CSD16342Q5A的特性
- 针对 5V 栅极驱动而优化
- VGS = 2.5V 时的额定电阻值
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 低热电阻
- 额定雪崩能量
- 无铅端子封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无引线小外形尺寸 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
CSD16342Q5A功能图
CSD16342Q5A规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 25 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 5.5 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 131 |
| QG(型)(nC) | 6.5 |
| QGD(型)(nC) | 1.2 |
| QGS(类型)(nC) | 2.1 |
| vg (V) | 10 |
| VGSTH类型(type) (V) | 0.85 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 21 |
| ID -套餐有限公司(A) | 100 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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