CSD25211W1015前往购买
CSD25211W1015规格参数_产品特点_原装销售
IC先生 网络 144 2023-11-24 15:50:46
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。
CSD25211W1015的特性
- 超低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 1.0mm × 1.5mm 小尺寸封装
- 超薄型，高 0.62mm
- 无铅
- 栅源电压钳位
- 栅极 ESD 保护 - 3kV
- 符合 RoHS
- 无卤素
CSD25211W1015功能图
CSD25211W1015规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | -20 |
| vg (V) | -6 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 33 |
| VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 44 |
| Id峰值(max) (A) | -9.5 |
| Id max cont (A) | -3.2 |
| QG(型)(nC) | 3.4 |
| QGD(型)(nC) | 0.2 |
| QGS(类型)(nC) | 1.1 |
| VGSTH类型(type) (V) | -0.8 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 3.2 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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