CSD17522Q5A规格参数_功能图_原装原厂
IC先生 网络 107 2023-11-25 13:52:21
此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计,并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。
CSD17522Q5A的特性
- 针对 5V 栅极驱动而优化
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定
- 无铅终端镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装
CSD17522Q5A功能图
CSD17522Q5A规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
VDS公司(V) | 30 |
配置 | Single |
VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 12.4 |
VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 8.1 |
IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 104 |
QG(型)(nC) | 3.6 |
QGD(型)(nC) | 1.1 |
QGS(类型)(nC) | 1.6 |
vg (V) | 20 |
VGSTH类型(type) (V) | 1.6 |
ID -硅限制在TC=25°C (A) | 87 |
ID -套餐有限公司(A) | 87 |
逻辑电平 | Yes |
工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
评级 | Catalog |
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芯片
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