TPS51216前往购买
TPS51216规格参数_功能图_原装原厂
IC先生 网络 135 2023-11-25 13:22:29
TPS51216以最低的总成本和最小的空间为DDR2、DDR3和DDR3L存储系统提供完整的电源。它集成了一个同步降压调节器控制器(VDDQ)，带有一个2-A吸收/源跟踪LDO (VTT)和缓冲低噪声参考(VTTREF)。。VTTREF跟踪VDDQ/2的精度为0.8%。VTT提供2 a的吸收/源峰值电流能力，只需要10 μ f的陶瓷电容。此外，一个专用的LDO电源输入是可用的。
TPS51216具有丰富的实用功能和优异的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，将VTT置于S3的高z，并在S4/S5状态下放电VDDQ, VTT和VTTREF(软关)。具有低侧MOSFET RDS(on)传感，OVP/UVP/UVLO和热关闭保护的可编程OCL也可用。
TPS51216采用20引脚，3mm × 3mm, QFN封装，环境温度为-40°C至85°C。
TPS51216的特性
- 同步降压控制器(VDDQ)
- 转换电压范围:3v ~ 28v
- 输出电压范围:0.7 V ~ 1.8 V
- 0.8% V裁判精度
- D-CAP™ Mode for Fast Transient Response
- 可选择300 kHz/400 kHz开关频率
- 优化效率在轻，重负载与自动跳过功能
- 支持S4/S5状态的软关
- OCL / OVP / UVP / UVLO保护
- Powergood输出
- 2-A LDO(VTT), Buffered Reference(VTT裁判)
- 2-A(峰值)吸收和源电流
- Requires Only 10-μF of Ceramic Output Capacitance
- Buffered, Low Noise, 10-mA VTT裁判 Output
- 0.8% VTT裁判, 20-mV VTT精度
- S3支持High-Z, S4/S5支持Soft-Off
- 热关机
- 20-Pin, 3 mm × 3 mm, QFN Package
- 应用程序
- DDR2/DDR3/DDR3L内存电源
- SSTL_18, SSTL_15, SSTL_135和HSTL终止
TPS51216功能图
TPS51216规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| Vin (min) (V) | 3 |
| Vin (max) (V) | 28 |
| 特性 | Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support |
| 智商(类型)(mA) | 0.6 |
| 评级 | Catalog |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 85 |
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