CSD16415Q5前往购买
CSD16415Q5产品参数_产品特征_原装供应
IC先生 网络 27 2023-11-25 16:32:40
此 NexFET 功率MOSFET已被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。
顶视图
CSD16415Q5的特性
- 超低栅极电荷(Qg)和栅漏电荷(Qgd)
- 极低接通电阻
- 低热阻性
- 额定雪崩能量
- 无铅端子电镀
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
CSD16415Q5功能图
CSD16415Q5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 25 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 1.8 |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 1.15 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 200 |
| QG(型)(nC) | 21 |
| QGD(型)(nC) | 5.2 |
| QGS(类型)(nC) | 8.3 |
| vg (V) | 16 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1.5 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 261 |
| ID -套餐有限公司(A) | 100 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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