TPIC6B259前往购买
TPIC6B259中文参数_产品特点_原装原厂
IC先生 网络 137 2023-11-29 17:45:18
该电源逻辑8位可寻址锁存器控制开漏dmos晶体管输出，专为数字系统中的通用存储应用而设计。具体用途包括工作寄存器、串行保持寄存器和解码器或解复用器。这是一种多功能设备，能够将单线数据存储在8个可寻址锁存器和3到8个具有低活性DMOS输出的解码器或解复用器中。。
通过控制函数表中列举的clear (CLR\)和enable (G\)输入，可以选择四种不同的操作模式。在可寻址锁存模式中，数据输入(D)终端的数据被写入寻址锁存。寻址dmos -晶体管输出反转数据输入，所有未寻址dmos -晶体管输出保持其先前的状态。在存储器模式下，所有dmos晶体管输出保持其先前的状态，不受数据或地址输入的影响。为了消除在锁存器中输入错误数据的可能性，当地址线发生变化时，启用G\应保持高位(非活动)。在3到8解码或解复用模式中，寻址输出相对于D输入和所有其他输入是反向的。
输出关闭。在clear模式下，所有输出都关闭，不受地址和数据输入的影响。当给定输出的数据较低时，dmos晶体管输出关闭。当数据量高时，dmos晶体管输出具有吸收电流能力。。
输出是低侧开漏DMOS晶体管，输出额定值为50 V，连续下沉电流能力为150 ma。在TC = 25°C时，每个输出提供500 ma的典型电流限制。电流限制随着结温的增加而降低，以提供额外的器件保护。。
TPIC6B259的特点是在-40°C至125°C的工作箱温度范围内工作。
TPIC6B259的特性
- 低的rDS(上)5……
典型的 - 雪崩能量……
- 8个功率dmos晶体管输出
150毫安连续电流 - 500-mA典型的Current-Limiting Capability
- 输出箝位电压…50
- 四种不同的功能模式
- 低功耗
TPIC6B259功能图
TPIC6B259规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 通道数 | 8 |
| 拓扑结构 | Open drain |
| 评级 | Automotive |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| Vin (min) (V) | 4.5 |
| Vin (max) (V) | 5.5 |
| Vout (max) (V) | 50 |
| 特性 | Enable/Shutdown, Thermal shutdown |
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