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SN74ABT823中文参数_功能图_原装原厂
IC先生 网络 37 2023-12-04 08:20:39
这些9位触发器具有3状态输出，专为驱动高容性或相对低阻抗负载而设计。它们特别适合实现更宽的缓冲寄存器、I/O端口、带奇偶校验的双向总线驱动程序和工作寄存器。。
当时钟使能(CLKEN\)输入为低电平时，9个d型边缘触发触发器在时钟的低到高转换上输入数据。采用CLKEN\ high将禁用时钟缓冲区，从而锁存输出。将clear (CLR\)输入置低会导致9个Q输出置低，与时钟无关。。
缓冲输出使能(OE\)输入可用于将9个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻抗状态。在高阻抗状态下，输出既不显著负载也不显著驱动母线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了驱动总线线路的能力，而无需接口或上拉组件。。
当VCC在0 ~ 2.1 V之间时，设备在上电或下电过程中处于高阻抗状态。然而，为了确保2.1 V以上的高阻抗状态，OE\应通过上拉电阻连接到VCC;。。
SN54ABT823的特点是在-55°C至125°C的全军用温度范围内工作。SN74ABT823的特点是工作温度从-40°C到85°C。。
SN74ABT823的特性
- 最先进的史诗,2BTMBiCMOS设计显著降低功耗
- 根据MIL-STD-883，方法3015,ESD保护超过2000v;
- 锁存性能超过500 m一个 / JEDEC标准jed -17
- 典型的VOLP (Output Ground Bounce） < 1 V at VCC= 5v, t一个 = 25°C
- 上电和下电时的高阻抗状态
- High-Drive Outputs (-32-m一个 I哦, 64-m一个 IOL）
- 缓冲控制输入以减少直流负载影响
- Package Options Include Plastic Small-Outline (DW） and Shrink Small-Outline (DB） Packages, Ceramic Chip Carriers (FK） and Flatpacks (W）, and Standard Plastic (NT） and Ceramic (JT） DIPs
史诗,IIB is a trademark of Texas Instruments Incorporated.
SN74ABT823功能图
SN74ABT823规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 通道数 | 9 |
| 技术的家庭 | ABT |
| 电源电压(min) (V) | 4.5 |
| 电源电压(最大)(V) | 5.5 |
| 输入类型 | TTL-Compatible CMOS |
| 输出类型 | 3-State |
| 时钟频率(max) (MHz) | 150 |
| IOL (max) (mA) | 64 |
| IOH (max) (mA) | -32 |
| 电源电流(最大)(µA) | 38000 |
| 特性 | Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 85 |
| 评级 | Catalog |
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