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AIKQ200N75CP2规格参数_功能特性_现货专卖

IC先生 网络 16 2023-12-06 11:30:00

汽车IGBT分立AIKQ200N75CP2是一个EDT2 IGBT,在TO247PLUS封装中有一个共封装二极管750 v美国技术通过使电池电压高达470 v和由于过压裕度增加而安全快速切换,显着提高了高压汽车应用的能源效率和冷却效果从而实现高性能的逆变器系统EDT2技术具有非常紧密的参数分布和正热系数这使得易于并行操作,提供系统灵活性和功率可扩展性AIKQ200N75CP2的标称电流为200,在TO247PLUS封装中被归类为同类最佳的分立IGBT这一特性减少了达到一定功率等级所需的并联器件数量,提高了功率密度,降低了整体系统成本。


AIKQ200N75CP2


AIKQ200N75CP2的特性

  • Vce = 750 v
  • 750 V集电极-发射极阻断电压能力
  • 平滑开关特性
  • 极低的VCE(sat),在ICnom = 200a时为1.30 V
  • 短路健壮性
  • 非常紧的参数分布
  • 低栅电荷QG
  • 封装快速软恢复发射极控制3二极管
  • 符合AEC-Q101标准
  • 增加应用中的过电压裕度
  • 减少所需并联设备的数量
  • 简易闸门驱动设计
  • 短路状态下的自限流
  • 低电磁干扰信号
  • 可靠性高,使用寿命长

  • AIKQ200N75CP2优势

  • 470V直流系统的基准质量和开关性能
  • 这款to - 247plus封装具有高爬电距离,可满足高达470V Vdc的汽车高压应用要求。
  • 非常强大的设计,以满足客户的任务配置文件
  • 高开关频率,减少开关损耗和冷却工作
  • 并联允许使用相同的产品来解决不同功率级的逆变器,从而产生功率可扩展性和成本优化

  • AIKQ200N75CP2规格参数

    产品属性属性值
    Eon15.3 mJ
    IC(@ 25°) 200 A
    IC(@ 100°) 200 A
    ICpuls 600 A
    如果 200 A
    IFpuls 600 A
    Irrm41 A
    Ptot 1071 W
    PG-TO247-3
    QGate1256 nC
    Qrr4700 nC
    开关频率7kHz - 15kHz
    技术EDT2
    类型IGBT + Diode
    VCE 750 V
    VF1.8 V
    td(下)266 ns
    td(上)89 ns
    特遣部队46 ns
    tr120 ns
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    AIKQ200N75CP2规格参数_功能特性_现货专卖


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