IPD11DP10NM前往购买
IPD11DP10NM产品规格_产品特点_原厂出售
IC先生 网络 105 2023-12-06 13:41:58
DPAK 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、负载开关和反极性保护应用的全新技术。P 沟道器件的主要优势在于降低中低功率应用的设计复杂度。此类产品可轻松连接 MCU，开关速度快且雪崩能力强，尤其适合质量要求高的应用。器件支持正常电平，具备较宽的 RDS(on) 范围和低 Qg，低负载下效率较高。
IPD11DP10NM的特性
- 4 种不同标准封装可供选择
- 较宽的 RDS(on) 范围
- 支持正常电平和逻辑电平
- 针对诸多应用领域进行优化
IPD11DP10NM优势
- 行业标准封装
- 尤为适合高和低开关频率
- 轻松连接至 MCU
- 具备低 Qf，低负载下效率较高
- 降低设计复杂度
- 高能效
IPD11DP10NM规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.62 |
| ID | -22 A |
| ID(@25°C) | -22 A |
| IDpuls | -88 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 125 W |
| 包 | DPAK (TO-252) |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | P |
| 路上 | -59 nC |
| QG(类型@10V) | -59 nC |
| RDS(上) | 111 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 111 mΩ |
| VDS公司 | -100 V |
| vg (th) | -2.1 V -4 V |
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