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1ED3491MU12M中文参数_产品特征_原装原厂

IC先生 网络 45 2023-12-06 17:21:13

EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器,具备±9 A典型灌电流和拉电流峰值输出,采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装,爬电距离大(>8 mm),适用于IGBTMOSFETSiC MOSFET

1ED3491MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED34xx系列(X3 analog)。1ED3431可从输入端(ADJA和ADJB引脚)通过外接电阻配置DESAT(可调节滤波时间)和软关断(可调节电流)。另外,该驱动IC还具备独立输出、有源米勒箝位、故障报告和过温保护功能。

1ED3890(X3数字)版本,提供27个可通过I2C配置寄存器


1ED3491MU12M


1ED3491MU12M的特性

  • 灵活的EiceDRIVER™增强型单通道隔离栅极驱动器1ED34xx系列(X3 analog)
  • IGBT、SiC和Si MOSFET
  • ±3 A典型灌电流和拉电流峰值输出
  • 40 V绝对最大输出电源电压
  • 独立的开通和关断输出引脚
  • 有源米勒钳位
  • 精确的VCEsat检测(DESAT),支持故障输出
  • IGBT退饱和检测后软关断
  • 从输入端调整参数:
  • 通过ADJB引脚可调节DESAT滤波时间
  • 通过ADJA引脚可调节软关断电流
  • 向控制器发送FLT和RDY状态信号
  • 带迟滞功能的11 V/12 V欠压锁定(UVLO)保护

1ED3491MU12M


1ED3491MU12M优势

  • 160 °C(±10 °C)过温保护
  • 严格的IC到IC传输延迟匹配(最大30 ns)
  • 高共模瞬态抗扰度CMTI >200 kV/μs
  • 适合在最高125℃的高温环境下工作
  • 节省空间的DSO-16细间距宽体封装,爬电距离大(>8 mm)
  • UL 1577 VISO = 6.84 kV(rms)持续1秒,5.7 kV(rms)持续1分钟
  • 由于外部元件数量少,以及可调节的带软关断的DESAT保护功能,使快速设计周期和一流的DESAT精度成为可能。
  • 精确的阈值和定时,结合UL 1577认证,能实现出色的应用安全性
  • 非常适合所有需要可靠DESAT保护功能的应用场合,有源米勒钳位,满足较小PCB尺寸要求

1ED3491MU12M规格参数

产品属性属性值
渠道1
配置High-side
输入电源电压 3 V   6.5 V
隔离型Galvanic isolation - Functional
输出电流(源)11 A
输出电流(吸收)7.5 A
关闭传播延迟236 ns
打开传播延迟244 ns
VBS UVLO(开)12 V
VBS UVLO(关闭)11 V
VCC UVLO(开)2.95 V
VCC UVLO(关闭)2.8 V
电压等级2300 V
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文章标签: 芯片
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