BSP135I前往购买
BSP135I产品规格_产品功能_原装现货
IC先生 网络 48 2023-12-06 09:37:08
N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装，其特性为 VDS = 600 V、RDS(on) = 60 Ohm。
凭借最佳性价比和小尺寸封装，英飞凌的小信号和小功率 MOSFET 是各种应用和电路的最优之选。其中包括 低压驱动、 线性电池充电器、 电池保护、负载开关、 DC-DC 转换器、 反极性保护 等。
小信号/小功率 N-沟道和 P-沟道 MOSFETs 可提供广泛的 VGS(th) 水平和 RDS(on) 值， 以及多种电压等级。凭借增强和耗尽型的双重选项以及工业级资质，英飞凌的产品组合成为了最适合工业和消费品市场的产品。
BSP135I的特性
- 小尺寸封装
- 正常电平和逻辑电平栅极驱动均可使用
- 增强和耗尽型双重选项
- 符合 RoHS 标准，无卤素
- 快速开关
- 雪崩能力
- 符合 JEDEC 工业应用标准
BSP135I优势
- 节省 PCB 空间和成本
- 灵活的栅极驱动
- 降低设计复杂性
- 环保型产品
- 综合效率高
- 可实现稳健的设计
- 工业级资质
BSP135I规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.35 |
| ID(@25°C) | 0.12 A |
| IDpuls | 0.48 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 1.8 W |
| 包 | SOT-223 |
| 销数 | 4 Pins |
| 极性 | N |
| QG (type @4.5V) | 3.7 nC |
| RDS (on) (@0V) | 60000 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 45000 mΩ |
| 特殊功能 | Depletion mode |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | -1.4 V -2.1 V -1 V |
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