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IPB95R450PFD7中文参数_产品特点_现货出售

IC先生 网络 52 2023-12-06 09:30:20

950 V CoolMOS™PFD7超结MOSFET (IPB95R450PFD7)是对CoolMOS™7产品的补充,适用于高功率照明和工业smps7应用-263封装中的IPB95R450PFD7的RDS(上)为450Ω,可实现低开关损耗该产品配有集成的快速体二极管,确保设备坚固耐用该产品系列专为超高功率密度和最高效率设计而定制该产品主要用于PFC和LLC / LCC拓扑的消费和工业smp应用950 V CoolMOS™PFD7比qgov CoolMOS™C3提高了60%,从而减少了驱动损耗,提高了应用中的轻负载和满载效率。


IPB95R450PFD7


IPB95R450PFD7的特性

  • 集成快速体二极管,具有超低Qrr,可用于半桥和全桥配置
  • 一流的fdm RDS(on) x Eoss;
  • 同类最佳电压(GS)为3v,最小电压(GS)为±0.5 V
  • 通过降低Eoss和Qoss,提高了硬交换和软交换应用的效率
  • ESD保护(HBM 2级)

  • IPB95R450PFD7优势

  • 一流的硬交换坚固性,支持跨拓扑使用
  • 与CoolMOS™C3相比,效率增益高达0.5%,MOSFET温度降低高达4°C
  • 与最新的CoolMOS™C3和最接近的竞争对手相比,功率密度有所提高
  • 通过减少ESD相关故障,提高了产量

  • IPB95R450PFD7规格参数

    产品属性属性值
    ID(@25°C) 13.3 A
    ID 13.3 A
    IDpuls 43 A
    越来越多的SMT
    工作温度 -55 °C   150 °C
    Ptot 104 W
    D2PAK (TO-263)
    极性N
    QG(类型@10V)43 nC
    路上43 nC
    RDS (on) (@10V) 450 mΩ
    RDS(上) 450 mΩ
    VDS公司 950 V
    vg (th) 3 V   2.5 V   3.5 V
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    IPB95R450PFD7中文参数_产品特点_现货出售


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    文章标签: 芯片
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