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IPW60R024CFD7产品参数_功能图_原装现货

IC先生 网络 43 2023-12-06 10:38:47

英飞凌600 v的scoolmos™CFD7超级结MOSFETIPW60R024CFD7非常适合高功率smp中的谐振拓扑,例如服务器,电信和dev充电站,可显着提高效率作为cfd2 SJ MOSFET家族的继任者,与竞争对手相比,它具有降低的栅极电荷,改善的关断行为和高达69%的反向恢复电荷降低smp服务器,电信,电动汽车充的电,电脑电源。


IPW60R024CFD7


IPW60R024CFD7的特性

  • 超高速体二极管
  • 一流的反向回收费用(Qrr)
  • 提高反向二极管dv/dt和dif/dt的稳健性
  • 最低FOM RDS(on) x Qg和Eoss
  • 一流的RDS(on)/封装组合

  • IPW60R024CFD7优势

  • 一流的硬换相坚固性
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率,突出的易用性/性能权衡
  • 实现更高的功率密度解决方案

  • IPW60R024CFD7规格参数

    产品属性属性值
    ID(@25°C) 77 A
    ID 77 A
    IDpuls 360 A
    越来越多的THT
    工作温度 -55 °C   150 °C
    Ptot 320 W
    TO-247
    销数3 Pins
    极性N
    QG(类型@10V)183 nC
    路上183 nC
    RDS (on) (@10V) 24 mΩ
    RDS(上) 24 mΩ
    特殊功能fast recovery diode
    VDS公司 600 V
    vg (th) 4 V   3.5 V   4.5 V
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    IPW60R024CFD7产品参数_功能图_原装现货


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    文章标签: 芯片
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