IRFB3206产品参数_产品特点_现货专卖
IC先生 网络 98 2023-12-06 14:11:03
红外MOSFET™功率MOSFET系列采用成熟的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电机,逆变器,smp,照明,负载开关以及电池供电应用这些器件有多种表面贴装和通孔封装,采用行业标准封装,便于设计优化的栅极驱动选项使设计人员能够灵活地选择超级,逻辑或正常水平的驱动器。
IRFB3206的特性
IRFB3206优势
IRFB3206规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
预算价格€/ 1000 | 1.05 |
ID(@25°C) | 210 A |
越来越多的 | THT |
工作温度 | -55 °C 175 °C |
Ptot | 300 W |
包 | TO-220 |
极性 | N |
QG(类型@10V) | 120 nC |
Qgd | 35 nC |
RDS (on) (@10V) | 3 mΩ |
RthJC | 0.5 K/W |
Tj | 175 °C |
VDS公司 | 60 V |
vg (th) | 3 V 2 V 4 V |
vg | 20 V |
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