IPP60R040S7前往购买
IPP60R040S7中文规格_产品特性_现货专卖
IC先生 网络 38 2023-12-06 09:55:57
600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET (IPP60R040S7) 针对低导通损耗进行优化，采用 TO-220 封装，可提供最优的 RDS(on) x 价格，适用于低频开关应用，如有源桥式整流器、浪涌继电器、 PLC、 高压 DC 线路、 功率 固态继电器 和固态断路器。600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 可实现更高的能效，降低 BOM 费用。
IPP60R040S7的特性
- 针对导通性能进行优化
- 耐热性提高
- 高脉冲电流能力
IPP60R040S7优势
- 最大限度地降低导通损耗
- 提高能效
- 更紧凑、更简单的设计
- 在固态设计中无需或减少散热器
- 较低的总体拥有成本 (TCO) 或物料清单 (BOM) 成本
IPP60R040S7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| IDpuls | 207 A |
| 越来越多的 | THT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| 包 | TO-220 |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 83 nC |
| 路上 | 83 nC |
| RDS (on) (@10V) | 40 mΩ |
| RDS(上) | 40 mΩ |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
