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IMBG65R057M1H产品参数_功能特性_原装现货
IC先生 网络 46 2023-12-06 09:43:07
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性能、稳健性和易用性等独特优势。IMBG65R057M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。
CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device performance, robustness, and ease of use. The IMBG65R057M1H CoolSiC™ MOSFET 650V is a compact SMD 7 pin SiC MOSFET built on a state-of-the-art Infineon SiC trench technology and used in high power applications. It is optimized to enable max system performance, compactness and reliability.
IMBG65R057M1H的特性
IMBG65R057M1H优势
IMBG65R057M1H规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 39 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 161 W |
| 极性 | N |
| 资格 | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 57 mΩ |
| VDS公司 | 650 V |
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