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BSS670S2L规格参数_产品功能_原厂出售

IC先生 网络 91 2023-12-06 14:26:41

英飞凌技术为汽车和工业制造商提供广泛的N沟道和p沟道小信号mosfet产品组合,满足并超过了知名行业标准封装的最高质量要求这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力,非常适合各种应用,包括领导照明,ADAS,车身控制单元,smp和电机控制。


BSS670S2L


BSS670S2L的特性

  • 增强型
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 快速切换
  • Dv / dt额定
  • Pb-free镀铅
  • 符合RoHS标准,无卤素
  • 符合汽车标准
  • PPAP能力

  • BSS670S2L优势

  • 低RDS(开启)提供更高的效率和延长电池寿命
  • 小封装节省PCB空间
  • 一流的质量和可靠性

  • BSS670S2L规格参数

    产品属性属性值
    预算价格€/ 10000.04
    独联体56 pF
    输出电容13 pF
    ID(@25°C) 0.54 A
    IDpuls 2.2 A
    工作温度 -55 °C ; 150 °C
    Ptot 0.36 W
    SOT-23
    极性N
    QG(类型@10V)1.7 nC
    RDS (on) (@10V) 650 mΩ
    RthJA 350 K/W
    特殊功能Small Signal
    VDS公司 55 V
    vg (th) 1.2 V   2 V
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    文章标签: 芯片
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