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ISZ080N10NM6规格参数_产品特性_原装销售
IC先生 网络 104 2023-12-06 13:46:35
正常电平 ISZ080N10NM6 OptiMOS™ 6 系列 100 V 器件在分立式功率 MOSFET 领域树立了全新技术标准。英飞凌最新的 OptiMOS™ 6 100 V 技术采用专有的新型针槽技术，可实现更高的功率密度、效率和耐用性。相较于替代产品，英飞凌的领先薄晶圆技术显示出卓越性能优势。
英飞凌 100 V OptiMOS™ 6 工业功率 MOSFET 旨在用于高开关频率应用，如电信和服务器电源，亦适用于太阳能、电动工具和无人机等应用。
与前代 OptiMOS™ 5 技术相比，SuperSO8 封装型 MOSFET 的导通电阻 (RDS(on)) 降低了近 20%，品质因数（FOM - RDS(on) x Qg 和 Qgd）改善了 30%。设计人员由此即可提高产品效率，简化热设计，减少并联，进而降低系统成本。
ISZ080N10NM6的特性
相较于 OptiMOS™ 5，新技术具备以下优势：
- RDS(on) 降低近 20%
- FOMg 改善了 30%，FOMgd 改善 40%
- 更低更弱的反向恢复电荷 (Qrr)
- 非常适合高开关频率
- 根据 J-STD-020 标准，具备湿敏等级 (MSL) 1 级
- 175 °C 额定结温
- 高雪崩能量
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
ISZ080N10NM6优势
- 低传导损耗
- 低开关损耗
- 快速导通/关断
- 更少并联需求
- 稳健可靠
- 环保
- 更少并联需求
ISZ080N10NM6规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.61 |
| ID | 75 A |
| ID(@25°C) | 75 A |
| IDpuls | 300 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 100 W |
| 包 | PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead |
| 销数 | 8 Pins |
| 极性 | N |
| 路上 | 19 nC |
| QG(类型@10V) | 19 nC |
| RDS(上) | 8.04 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 8.04 mΩ |
| VDS公司 | 100 V |
| vg (th) | 2.8 V 2.3 V 3.3 V |
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