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IRL100HS121中文参数_产品功能_原厂出售
IC先生 网络 99 2023-12-08 15:54:30
英飞凌的新型逻辑电平功率MOSFET有三种不同的电压等级（60V，80V和100V），非常适合无线充电，通信和适配器应用。PQFN 2x2封装特别适用于高速开关和外形尺寸重要的应用。它可以实现更高的功率密度和更高的效率以及显著的空间节省。
IRL100HS121的特性
- 极低的FOM (R DS(on) x Q g/gd)
- 优化Q g ，C oss和Q rr，实现快速切换
- 逻辑电平兼容
- 微型PQFN 2x2mm 封装
IRL100HS121优势
- 极小的封装尺寸
- 更高的功率密度设计
- 更高的开关频率
- 5V 供电可用时即可减少器件数量
- 微控制器直接驱动（慢开关）
- 降低系统成本
IRL100HS121规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.35 |
| ID(@25°C) | 11 A |
| IDpuls | 41 A |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 11.5 W |
| 包 | PQFN 2 x 2 (DFN2020) |
| 极性 | N |
| QG (type @4.5V) | 3.7 nC |
| Qgd | 1.6 nC |
| RDS (on) (@4.5V LL) | 59 mΩ |
| RDS (on) (@4.5V) | 59 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 42 mΩ |
| 仅仅 | 13 K/W |
| RthJA | 60 K/W |
| RthJC | 13 K/W |
| VDS公司 | 100 V |
| vg (th) | 1.7 V 1.2 V 2 V |
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