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IRF7341G产品规格_功能特性_现货出售
IC先生 网络 46 2023-12-08 15:09:40
红外MOSFET系列功率MOSFET采用成熟的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电机,逆变器,smp,照明,负载开关以及电池供电应用这些器件有多种表面贴装和通孔封装,采用行业标准封装,便于设计。
IRF7341G的特性
IRF7341G优势
IRF7341G规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.66 |
| ID(@25°C) | 5.1 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| ptt (@ TA=25°C) | 2.4 W |
| 包 | SO-8 |
| 极性 | N+N |
| QG(类型@10V) | 29 nC |
| Qgd (typ) | 7.3 nC |
| RDS (on) (@4.5V) | 65 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 50 mΩ |
| RthJA | 62.5 K/W |
| Tj | 175 °C |
| VDS公司 | 55 V |
| vg (th) | 1 V |
| vg | 20 V |
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芯片
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