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IRFI4020H-117P中文参数_产品功能_原装供应

IC先生 网络 84 2023-12-08 08:27:55

StrongIRFET™功率MOSFET系列针对低RDS(上)和大电流能力进行了优化该器件是要求性能和坚固性的低频应用的理想选择全面的产品组合涉及广泛的应用,包括直流电机,电池管理系统,逆变器和直流-直流转换器。


IRFI4020H-117P


IRFI4020H-117P的特性

  • 通过无铅认证
  • 低RDS(上)
  • 双n沟道MOSFET
  • 集成半桥封装
  • 低Qrr
  • 低Qg和Qsw
  • 孤立的包

  • IRFI4020H-117P优势

  • 环境友好型
  • 高功率密度
  • 综合设计
  • 董事会的储蓄
  • 低EMI
  • 使THD更好,效率更高
  • 不需要绝缘硬件

  • IRFI4020H-117P规格参数

    产品属性属性值
    预算价格€/ 10001.4
    ID(@25°C) 9.1 A
    工作温度 -55 °C   150 °C
    ptt (@ TA=25°C) 21 W
    TO-220 FullPAK
    极性N+N
    QG(类型@10V)19 nC
    Qgd (typ)5.8 nC
    RDS (on) (@10V) 100 mΩ
    RthJA 65 K/W
    Tj 150 °C
    VDS公司 200 V
    vg (th) 3.95 V   3 V   4.9 V
    vg 20 V
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    IRFI4020H-117P中文参数_产品功能_原装供应


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