2EDL8033G4B前往购买
2EDL8033G4B中文参数_功能特性_原装销售
IC先生 网络 75 2023-12-08 17:27:28
2 edl8033g4b设计用于在半桥配置中驱动高侧和低侧mosfet浮动高侧驱动器能够驱动高达120 v启动电压的高侧mosfet,并提供完整的3电流能力高侧偏置电压是使用集成自举二极管的自举技术产生的驱动器的输入是TTL逻辑兼容,可以承受从- 10 v到20 v的输入共模摆动独立输入允许独立控制高侧域和低侧域在供电不足的情况下,高侧和低侧电源上的欠压锁定(UVLO)迫使相应的输出低2 edl8033g4b提供SON-8引脚4毫米x 4毫米。
2EDL8033G4B的特性
2EDL8033G4B优势
2EDL8033G4B规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 渠道 | 2 |
| 配置 | High-side and low-side |
| 输入电源电压 | 8 V 17 V |
| 隔离型 | Functional levelshift |
| 输出电流(吸收) | 6 A |
| 输出电流(源) | 3 A |
| 关闭传播延迟 | 33 ns |
| 打开传播延迟 | 33 ns |
| VBS UVLO(关闭) | 6.7 V |
| VBS UVLO(开) | 7.3 V |
| 电压等级 | 120 V |
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