IPTC063N15NM5前往购买
IPTC063N15NM5产品规格_功能特性_原厂出售
IC先生 网络 40 2023-12-08 12:58:51
IPTC063N15NM5 属于TOLT 封装 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 系列：采用 TO-Leaded 顶部散热封装，热性能优越。这种创新型封装结合了 OptiMOS™ 5 技术的主要特征，使英飞凌的 150 V 产品成为同类产品中的佼佼者，而且可以为高功率密度设计提供高额定电流。
依托顶部散热设计，漏极暴露在封装表面，因此可将 95% 的热量传导至散热片。相较于 TOLL 封装，TOLT 封装的 RthJA 降低了约 20%，RthJC 改善近 50%。而采用底部散热的封装类型，如 TOLL 或 D2PAK，热量则需要通过 PCB 经散热片散热，从而会导致高功率损耗。
TOLT 封装型 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 主要用于 电动工具, 轻型电动车 和 电池管理系统。
IPTC063N15NM5的特性
- 低 RDS(on)
- 高额定电流
- 顶部散热
- 负引脚本体高差
- 无锡散热焊盘
IPTC063N15NM5优势
- 系统效率高，有助于延长电池寿命
- 高功率密度
- 出色的热性能
- 节省散热系统
- 最大限度降低至散热片的热阻
IPTC063N15NM5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 电池电压 | 72-96 V |
| ID | 122 A |
| ID(@25°C) | 122 A |
| IDpuls | 488 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 214 W |
| 包 | TOLT (HDSOP-16) |
| 极性 | N |
| 路上 | 50 nC |
| QG(类型@10V) | 50 nC |
| RDS(上) | 6.3 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 6.3 mΩ |
| VDS公司 | 150 V |
| vg (th) | 3.8 V 3 V 4.6 V |
热点资讯
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
