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IPB015N08N5中文规格_功能特性_原厂出售

IC先生 网络 49 2023-12-08 09:19:22

英飞凌的soptimos™5 80 v工业功率MOSFET IPB015N08N5与前几代产品相比,RDS(上)降低了43%,非常适合高开关频率该系列的器件是专门为同步整流,电子控制和服务器电源而设计的此外,它们还可以用于其他工业应用,如太阳能、低压驱动器和适配器。


IPB015N08N5


IPB015N08N5的特性

  • 针对同步整流进行优化
  • 非常适合高开关频率
  • 输出电容降低高达 44% 
  • RDS(on) 降低高达 43%

IPB015N08N5优势

  • 高系统效率
  • 降低开关和通态损耗
  • 减少并联
  • 增加功率密度
  • 低电压过冲

IPB015N08N5规格参数

产品属性属性值
电池电压36-48 V
预算价格€/ 10003
独联体13000 pF
输出电容2000 pF
ID(@25°C) 260 A
IDpuls 1040 A
越来越多的SMD
工作温度 -55 °C   175 °C
Ptot 375 W
D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
销数7 Pins
极性N
QG(类型@10V)178 nC
RDS (on) (@10V) 1.5 mΩ
仅仅0.4 K/W
RthJA 62 K/W
VDS公司 80 V
vg (th) 3 V   2.2 V   3.8 V
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