IMW120R220M1H中文规格_功能特性_现货出售
IC先生 网络 51 2023-12-08 15:47:28
IMW120R220M1H是采用TO247-3封装的1200 V、220 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此,CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
IMW120R220M1H的特性
- 一流的开关和导通损耗
- 基准高阈值电压,Vth > 4 V
- 0V关断栅极电压,简单轻松地进行栅极驱动
- 栅源电压范围宽
- 损耗低且牢固的体二极管,可用于硬换向
- 开关关断损耗不受温度影响
IMW120R220M1H优势
- 最高效率
- 减少了冷却工作
- 提高了操作频率
- 增加了功率密度
- 降低了系统的复杂程度
IMW120R220M1H规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
独联体 | 289 pF |
输出电容 | 16 pF |
ID(@25°C) | 13 A |
越来越多的 | THT |
工作温度 | -55 °C 175 °C |
Ptot(@25°C) | 75 W |
包 | TO-247-3 |
销数 | 3 Pins |
极性 | N |
QG(类型@18V) | 8.5 nC |
Qgd | 2 nC |
资格 | Industrial |
RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 220 mΩ |
RthJA | 62 K/W |
RthJC | 2 K/W |
Tj | 175 °C |
VDS公司 | 1200 V |
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