ISC012N04LM6前往购买
ISC012N04LM6产品参数_产品特点_原装供应
IC先生 网络 59 2023-12-08 13:32:51
ISC012N04LM6 OptiMOSTM 6 40V逻辑电平在分立功率 MOSFET 领域建立了新的技术标准。与其他替代产品相比，英飞凌领先的薄晶圆技术带来了显著的性能优势。
英飞凌的 OptiMOSTM 6 功率 MOSFET 40 V 系列产品针对各种应用和电路进行了优化， 例如，针对服务器、 台式电脑、无线充电器、快速充电器等开关电源 (SMPS) 和ORing 电路进行优化。导通电阻(RDS(on)) 和品质因数 (FOM - RDS(on) x Qg 和 Qgd)的改善使设计人员能够提高效率，简化热设计，减少并联，进而降低系统成本。
ISC012N04LM6的特性
- 逻辑电平栅极驱动能力
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 175 °C 额定结温
- 100% 经过雪崩测试
- 符合 IEC61249-2-21 标准，无卤素
- 针对同步应用进行优化
ISC012N04LM6优势
- 灵活的栅极驱动
- 最高系统效率
- 增加运行裕度
- 稳健、可靠的性能
- 环保型产品
- 增加功率密度和极低的电压过冲
ISC012N04LM6规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.88 |
| ID(@25°C) | 238 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| 包 | SuperSO8 5x6 |
| 极性 | N |
| QG (type @4.5V) | 25 nC |
| QG(类型@10V) | 51 nC |
| RDS (on) (@4.5V) | 1.7 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 1.2 mΩ |
| VDS公司 | 40 V |
| vg (th) | 1.6 V 1.3 V 2.3 V |
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