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IPS70R1K4P7S中文规格_功能图_现货专卖
IC先生 网络 96 2023-12-08 08:10:52
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS™ P7 在诸多方面成为目标应用的最佳选择：
IPS70R1K4P7S的特性
- 极低 FOM R DS(on) x E oss；更低 Q g、E on 和 E off
- 高性能技术
- 低开关损耗 (E oss)
- 高效率
- 优异的热性能
- 支持高速开关
- 集成保护齐纳二极管
- V (GS)th 优化至 3V，±0.5V 窄容差
- 成熟的产品组合
IPS70R1K4P7S优势
- 成本极具竞争力的技术
- 与 C6 技术相比，效率增益高达 2.4%，器件温度低 12K
- 更高开关速度实现更高效率增益
- 更低的 BOM 成本缩减磁性元件尺寸
- 高 ESD 稳健性，达到 HBM 2 级水平
- 轻松驱动和设计导入
- 支持更小的外形规格和更高的功率密度设计
- 优良产品的最佳选择
IPS70R1K4P7S规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.17 |
| ID(@25°C) | 4 A |
| ID | 4 A |
| IDpuls | 8.2 A |
| 越来越多的 | THT |
| 工作温度 | -40 °C 150 °C |
| Ptot | 22.7 W |
| 包 | IPAK SL (TO-251 SL) |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 4.7 nC |
| 路上 | 4.7 nC |
| Qgd | 1.7 nC |
| RDS (on) (@10V) | 1400 mΩ |
| RDS(上) | 1400 mΩ |
| 仅仅 | 5.5 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 5.5 K/W |
| 特殊功能 | price/performance |
| VDS公司 | 700 V |
| vg (th) | 3 V 2.5 V 3.5 V |
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