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IPTG025N08NM5中文规格_产品特点_原厂出售

IC先生 网络 23 2023-12-08 14:11:59

OptiMOS™ 功率 MOSFETIPTG025N10NM5 采用改良型带翼型引线的 TO-Leaded 封装。TOLG 封装尺寸与 TO-Leadless 封装尺寸互相兼容,与 D2PAK 7-引脚相比,TOLG 封装具有出色的电器性能,同时减少了约 60% 的电路板空间。

得益于翼型引线的灵活性,采用 TOLG 封装的 OptiMOS™ 在 Al-IMS 电路板上表现出了优异的焊点可靠性。因此,与标准要求 (IPC-9701) 相比,板上温度循环 (TCOB) 性能高出了 2 倍。

TOLG 封装的主要优势是确保了高效率、低电磁干扰以及高功率密度。


IPTG025N08NM5


IPTG025N08NM5的特性

  • 最佳的技术
  • 高额定电流>300 A
  • 低振铃和电压过冲
  • 电路板占用空间比 D2PAK 7 引脚减少 60%
  • 翼型引线

IPTG025N08NM5优势

  • 高性能能力
  • 系统可靠性高
  • 高效率和低电磁干扰
  • 优化电路板利用率
  • 板上温度循环性能高

IPTG025N08NM5规格参数

产品属性属性值
预算价格€/ 10001.76
ID(@25°C) 184 A
工作温度 -55 °C   175 °C
TOLG (HSOG-8)
极性N
QG(类型@10V)70 nC
RDS (on) (@10V) 2.5 mΩ
VDS公司 80 V
vg (th) 3 V   2.2 V   3.8 V
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