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IMW120R020M1H产品规格_功能特性_原装供应
IC先生 网络 99 2023-12-09 10:01:00
采用TO247-3封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
IMW120R020M1H的特性
- 出类拔萃的开关损耗和导通损耗
- 高阈值电压，Vth > 4 V
- 0V关断栅极电压，实现简单的栅极驱动
- 宽栅源电压范围
- 坚固的低损耗体二极管，适用于硬开关
- 关断损耗受温度影响小
- .XT扩散焊技术，可实现一流的热性能
IMW120R020M1H优势
- 最高效率
- 减少冷却工作
- 更高频率的运行
- 增加功率密度
- 降低系统的复杂程度
IMW120R020M1H规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 独联体 | 3460 pF |
| 输出电容 | 159 pF |
| ID(@25°C) | 98 A |
| 越来越多的 | THT |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| ptt (@ TA=25°C) | 375 W |
| 包 | TO-247-3 |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| 路上 | 83 nC |
| Qgd | 24 nC |
| 资格 | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 20 mΩ |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 0.4 K/W |
| Tj | 175 °C |
| VDS公司 | 1200 V |
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