IPC302N20N3前往购买
IPC302N20N3规格参数_产品特征_原装销售
IC先生 网络 93 2023-12-09 17:18:57
英飞凌凭借 OptiMOS™ 200V 和 250V 产品，不断提供具有独特性能的同类中较为出色的导通电阻 (R DS(on)) 功率 MOSFET。领先的导通电阻 R DS(on) 和品质因数 (FOM) 特征可降低功耗，提高整体效率并提高功率密度。200V 和 250V 产品系列针对 110V AC 网络照明、HID 灯、直流-直流转换器和有源以太网 (PoE) 等应用进行了优化。
IPC302N20N3的特性
- 行业内较低的 (R DS(on))
- 低 Q g 和 Q gd
- 世界范围内较低的FOM
IPC302N20N3优势
- 高效率
- 高功率密度
- 低板空间消耗
- 减少并联
- 改善系统成本
- 产品易于设计
- 环保
IPC302N20N3规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| | |产品组 | Die Form |
| 模具尺寸(面积) | 30.15 mm² |
| 模具尺寸(Y) | 4.5 mm |
| 模具尺寸(X) | 6.7 mm |
| 东亚峰会/雪崩能量 | 47 mJ |
| 模式 | Enhancement |
| 输出驱动 | 1 |
| 极性 | N |
| RDS(上) | 9.2 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 100 mΩ |
| 技术 | OptiMOS™ 3 |
| 厚度 | 250 |
| VBRDSS | 200 V |
| VDS公司 | 200 V |
| VDS公司 | 200 V |
| vg (th) | 2 V 4 V |
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芯片
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