IMT65R057M1H前往购买
IMT65R057M1H产品参数_产品特征_原装供应
IC先生 网络 89 2023-12-09 17:25:04
CoolSIC™MOSFET650 V, 57 mΩ人数封装利用英飞凌SiC技术的优势,实现更高密度的设计和更高的开关频率操作人数的小尺寸和低寄生允许高效和有效地利用电路板空间,以及在更高频率下驱动MOSFET,达到更高的功率密度CoolSIC™MOSFET 650 V, 57 mΩ在人数封装产品中,还可以为coolmos™和coolgan™提供,使其成为各种系统的有吸引力的一站式选择与D²PAK相比,降低了热阻抗,加上创新的XT互连,使57 mΩ产品适用于具有高效率目标的高功率到中功率系统它非常适合高功率到中功率系统中新兴的图腾柱PFC拓扑结构它还可以在高功率到中功率系统的直流-直流和交直流级中实现高效率和高密度它还成功地应用于交错拓扑中,以解决大功率系统中的高效率目标。
IMT65R057M1H的特性
IMT65R057M1H优势
IMT65R057M1H规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 44 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| 极性 | N |
| 资格 | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 57 mΩ |
| VDS公司 | 650 V |
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
