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AUIRF1018ES规格参数_产品特性_原装销售
IC先生 网络 97 2023-12-09 14:55:53
HEXFET® Power MOSFET经过专门设计，适用于汽车应用，采用新型工艺技术，每个硅片都可以实现极低的导通电阻。另外，这款设计还可以在175°C的结温下工作，切换速度快，改善了重复性雪崩的额定值。上述功能的结合使得这种装置极为有效、可靠，可广泛适用于汽车行业和其它各种应用。
AUIRF1018ES规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 79 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 110 W |
| 包 | D2PAK D2PAK |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 46 nC |
| Qgd | 12 nC |
| 资格 | Automotive |
| RDS (on) (@10V) | 8.4 mΩ |
| RthJC | 1.32 K/W |
| Tj | 175 °C |
| 技术 | Gen 10.7 |
| VDS公司 | 60 V |
| vg (th) | 2 V ; 4 V |
| vg | 20 V |
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