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AUIRFS3206产品规格_功能图_现货出售
IC先生 网络 54 2023-12-09 13:02:02
专为汽车应用而设计，该 HEXFET® 功率 MOSFET 采用最新的处理技术，可实现每硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特点是 175°C 结的工作温度、快速的开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
AUIRFS3206规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 120 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 300 W |
| 包 | D2PAK D2PAK |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 120 nC |
| Qgd | 35 nC |
| 资格 | Automotive |
| RDS (on) (@10V) | 3 mΩ |
| RthJC | 0.5 K/W |
| Tj | 175 °C |
| 技术 | Gen 10.7 |
| VDS公司 | 60 V |
| vg (th) | 2 V ; 4 V |
| vg | 20 V |
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