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AUIRLR3105规格参数_产品特点_原装现货
IC先生 网络 84 2023-12-09 15:02:46
专为汽车应用而设计，HEXFET® 功率 MOSFET 的 Stripe Planar 设计采用最新的处理技术，实现了每硅片面积的低导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了极其高效和可靠的器件，可用于汽车和各种其他应用。
AUIRLR3105规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 25 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 57 W |
| 包 | DPAK DPAK |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 13.3 nC |
| Qgd | 6 nC |
| 资格 | Automotive |
| RDS (on) (@10V) | 37 mΩ |
| RthJC | 2.65 K/W |
| Tj | 175 °C |
| 技术 | Gen 7.5 |
| VDS公司 | 55 V |
| vg (th) | 1 V ; 3 V |
| vg | 16 V |
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