STDRIVEG600前往购买
STDRIVEG600产品参数_产品特点_原厂出售
IC先生 网络 41 2023-12-12 13:04:41
概述
STDRIVEG600是用于增强型GaN FET或N沟道功率MOSFET的单芯片半桥栅极驱动器。
高边部分的设计可承受最高600 V的电压，适用于总线电压高达500 V的设计。
该器件具有高电流能力、短传播延迟和低至5 V的工作电源电压，其设计用于驱动高速GaN和Si FET。
STDRIVEG600在上下驱动部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉传导情况。
逻辑输入兼容CMOS/TTL（可低至3.3 V），易于与微控制器和DSP连接。
STDRIVEG600符号图
STDRIVEG600功能参数
- dV/dt抗扰度±200 V/ns
- 驱动器电流能力：
- 1.3/2.4 A 拉/灌 典型值 @25°C，6 V
- 5.5/6 A 拉/灌 典型值 @25°C，15 V
- 开关栅极驱动器引脚相分离
- 45 ns传播延迟，紧密匹配
- 具有迟滞的3.3 V，5 V TTL / CMOS输入
- 互锁功能
- 低边和高边部分的UVLO
- 关闭功能专用引脚
- 超温保护
STDRIVEG600引脚图
STDRIVEG600 3D图
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芯片
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