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MMBT2222ALT1G引脚配置_替代型号_数据手册

IC先生 IC先生 156 2023-12-12 15:41:46

MMBT2222ALT1G是由安森美半导体设计的双极结型晶体管(BJT),旨在最大限度地降低通态电阻,同时提供坚固、可靠和快速的开关性能,其最大功耗为300mW。

MMBT2222ALT1G器件的最大漏源电压为60V,栅源电压为±20V。该MOSFET采用SOT-23-3封装,工作温度范围为-55°C至150°C。

MMBT2222ALT1G

规格参数

产品属性 属性值
onsemi
产品种类: 双极晶体管 – 双极结型晶体管(BJT)
SMD/SMT
SOT-23-3
NPN
Single
40 V
75 V
6 V
1 V
600 mA
225 mW
300 MHz
–55°C
+150°C
集电极连续电流: 600 mA
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
宽度: 1.3 mm
单位重量: 30 mg

功能特性

  • 集电极 - 发射极击穿电压40
  • 提供无铅封装
  • S前缀,适用于需要独特场地和控制变更要求的汽车和其它应用
  • 通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力

等效和替代型号包括:PMBT2222、MMBT2222ALT3、TMPT4401、MMBT2222ALT1、MMBT2222AL、MMBT2222A-GS18、MMBT2222AT、933846830215、MMBT2222AT、TMPT4401、MMBT2222ALT1、PMBT2222、MMBT2222A-GS 18、933846830215、MMBT2222ALT3、KST2222AMTF_NL、MMBT2222AL、UMT2222AT106。

引脚配置

引脚配置

开启/关断时间

开启/关断时间

直流增益

直流增益

集电极-发射极饱和电压与集电极电流

集电极-发射极饱和电压与集电极电流

基极-发射极电压与集电极电流

基极-发射极电压与集电极电流

最大安全操作区域

最大安全操作区域

封装尺寸

封装尺寸

应用特点

  • 信号处理
  • 工业领域
  • 汽车行业
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文章标签: 晶体管
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