MMBT2222ALT1G引脚配置_替代型号_数据手册
IC先生 IC先生 156 2023-12-12 15:41:46
MMBT2222ALT1G是由安森美半导体设计的双极结型晶体管(BJT),旨在最大限度地降低通态电阻,同时提供坚固、可靠和快速的开关性能,其最大功耗为300mW。
MMBT2222ALT1G器件的最大漏源电压为60V,栅源电压为±20V。该MOSFET采用SOT-23-3封装,工作温度范围为-55°C至150°C。
规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
onsemi | |
产品种类: | 双极晶体管 – 双极结型晶体管(BJT) |
SMD/SMT | |
SOT-23-3 | |
NPN | |
Single | |
40 V | |
75 V | |
6 V | |
1 V | |
600 mA | |
225 mW | |
300 MHz | |
–55°C | |
+150°C | |
集电极连续电流: | 600 mA |
高度: | 0.94 mm |
长度: | 2.9 mm |
宽度: | 1.3 mm |
单位重量: | 30 mg |
功能特性
- 集电极 - 发射极击穿电压40
- 提供无铅封装
- S前缀,适用于需要独特场地和控制变更要求的汽车和其它应用
- 通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力
等效和替代型号包括:PMBT2222、MMBT2222ALT3、TMPT4401、MMBT2222ALT1、MMBT2222AL、MMBT2222A-GS18、MMBT2222AT、933846830215、MMBT2222AT、TMPT4401、MMBT2222ALT1、PMBT2222、MMBT2222A-GS 18、933846830215、MMBT2222ALT3、KST2222AMTF_NL、MMBT2222AL、UMT2222AT106。
引脚配置
开启/关断时间
直流增益
集电极-发射极饱和电压与集电极电流
基极-发射极电压与集电极电流
最大安全操作区域
封装尺寸
应用特点
- 信号处理
- 工业领域
- 汽车行业
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晶体管
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