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STPSC8TH13TI功能参数_产品特性_原装销售

IC先生 网络 21 2023-12-14 10:09:21

概述

碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

这款双管配置的650 V二极管特别适用于特定的无桥拓扑,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

STPSC8TH13TI符号图

STPSC8TH13TI

STPSC8TH13TI功能参数

  • 无反向恢复,或反向恢复可忽略
  • 开关行为受温度影响小
  • 适用于特定的无桥拓扑
  • 高耐正向浪涌电流能力
  • 绝缘封装:
    • Capacitance: 7 pF
    • Insulated voltage: 2500 V rms

STPSC8TH13TI引脚图

STPSC8TH13TI

STPSC8TH13TI 3D图

STPSC8TH13TI

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文章标签: 芯片
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