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STGD19N40LZ中文参数_产品特性_原装供应
IC先生 网络 33 2023-12-15 15:34:48
概述
这种特定应用的IGBT采用了最先进的PowerMESH™技术。
STGD19N40LZ符号图
STGD19N40LZ功能参数
- AEC-Q101合格
- 180 mJ雪崩能量@ TC = 150°C, L = 3 mH
- ESD栅射保护
- 门集电极高压箝位
- 逻辑电平栅极驱动
- 低饱和电压
- 高脉冲电流能力
- 栅极和栅极-发射极电阻
STGD19N40LZ引脚图
STGD19N40LZ 3D图
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芯片
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