STGH30H65DFB-2AG前往购买
STGH30H65DFB-2AG产品参数_产品特征_原厂出售
IC先生 网络 81 2023-12-15 14:15:08
概述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该设备是新型“HB”系列IGBT中的成员，有效平衡了导通损耗与开关损耗，大幅提升了频率转换器的效率。此外，它的VCE(sat)微正温度系数特性和超紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
STGH30H65DFB-2AG符号图
STGH30H65DFB-2AG功能参数
- 符合AEC-Q101
- 高速开关系列
- 最大结温：TJ = 175 °C
- VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
- 安全并联
- 紧凑参数分布
- 低热阻
- 柔软、恢复速度极快的反向并联晶体管
STGH30H65DFB-2AG引脚图
STGH30H65DFB-2AG 3D图
热点资讯
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
