STGWA100H65DFB2前往购买
STGWA100H65DFB2中文规格_产品特点_原装现货
IC先生 网络 48 2023-12-15 10:00:54
概述
最新的IGBT 650 V HB2系列代表了先进的专有沟槽栅场截止结构的发展。凭借低电流值下具有更好的VCECE(sat)表现和开关能量的降低，使HB2系列的传导性能得到了优化。极快软恢复二极管与IGBT反并联封装在一起。从而实现了专门设计用于最大化各种快速应用效率的产品。
STGWA100H65DFB2符号图
STGWA100H65DFB2功能参数
- 最大结温：TJ = 175 °C
- 低VCE(sat) = = 1.55 V （典型值）@ IC = 100 A
- 极快软恢复共封装二极管
- 最小尾电流
- 紧凑参数分布
- 低热阻
- 正VCE(sat)温度系数
STGWA100H65DFB2引脚图
STGWA100H65DFB2 3D图
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
