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STGB10NC60KDT4中文参数_产品符号_现货出售

IC先生 网络 103 2023-12-15 16:01:03

概述

这些设备是使用先进的PowerMESH技术开发的非常快速的igbt。

STGB10NC60KDT4符号图

STGB10NC60KDT4

STGB10NC60KDT4功能参数

  • 更低的电压降(VCE(sat))
  • 较低的Cres / Cies比率(无交叉导通敏感性)
  • 非常软超快速恢复反平行二极管
  • 抗短路时间10 μs

STGB10NC60KDT4引脚图

STGB10NC60KDT4

STGB10NC60KDT4 3D图

STGB10NC60KDT4

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文章标签: 芯片
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