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STGWA30M65DF2中文规格_产品特征_原装供应

IC先生 网络 62 2023-12-15 17:48:10

概述

这些器件是采用先进的专有沟槽栅场阻结构开发的igbt。

CE(坐)

温度系数和严密的参数分布使并联运行更加安全。

STGWA30M65DF2符号图

STGWA30M65DF2

STGWA30M65DF2功能参数

  • 最小抗短路时间为6µs
  • VCE(sat) = 1.55 V(类型)@ IC = 30 A
  • 严密的参数分布
  • 更安全的并联
  • 低热阻
  • 软和非常快的恢复反平行二极管

STGWA30M65DF2引脚图

STGWA30M65DF2

STGWA30M65DF2 3D图

STGWA30M65DF2

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文章标签: 芯片
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