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STH410N4F7-6AG产品规格_功能特性_原装销售
IC先生 网络 94 2023-12-16 08:04:00
概述
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
STH410N4F7-6AG符号图
STH410N4F7-6AG功能参数
- 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
- 处于市面上最低的RDS(on)行列
- 出色的品质因数（FoM）
- 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
STH410N4F7-6AG引脚图
STH410N4F7-6AG 3D图
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芯片
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