STP180N4F6前往购买
STP180N4F6功能参数_引脚图_原装原厂
IC先生 网络 41 2023-12-16 11:25:51
概述
该器件是采用stripet™F6技术开发的n沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STP180N4F6符号图
STP180N4F6功能参数
- 极低导通电阻
- 极低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
STP180N4F6引脚图
STP180N4F6 3D图
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芯片
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