STL120N4F6AG前往购买
STL120N4F6AG功能参数_产品特征_原厂出售
IC先生 网络 91 2023-12-16 14:06:57
概述
该器件是采用stripet™F6技术开发的n沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STL120N4F6AG符号图
STL120N4F6AG功能参数
- AEC-Q101合格
- 极低导通电阻
- 极低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
- 可湿式侧翼包
STL120N4F6AG引脚图
STL120N4F6AG 3D图
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芯片
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