STH240N10F7-6前往购买
STH240N10F7-6中文参数_产品特性_原装现货
IC先生 网络 109 2023-12-16 10:20:56
概述
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
STH240N10F7-6符号图
STH240N10F7-6功能参数
- 超低导通电阻
- 经过100％雪崩测试
STH240N10F7-6引脚图
STH240N10F7-6 3D图
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芯片
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