STP190N55LF3中文参数_功能图_原装现货
IC先生 网络 101 2023-12-16 11:18:36
概述
这种n沟道增强模式功率MOSFET是意法半导体独特的“单特征尺寸”带状工艺的最新改进,该工艺减少了关键对准步骤,提供了卓越的制造可重复性。
STP190N55LF3符号图
STP190N55LF3功能参数
- 逻辑电平驱动
- 100%雪崩测试
STP190N55LF3引脚图
STP190N55LF3 3D图
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芯片
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